Heraeus Electronics führte das ALL2GaN-Meeting durch und präsentierte Fortschritte in der hocheffizienten Leistungselektronik
Heraeus Electronics führte das ALL2GaN-Meeting durch
9.-10. April 2024 in Hanau
Heraeus Electronics richtete das ALL2GaN-Meeting vom 9. bis 10. April 2024 in seinen Räumlichkeiten in Hanau aus. Die Veranstaltung konzentrierte sich auf die bahnbrechenden Entwicklungen in der hocheffizienten Leistungselektronik, insbesondere auf die Möglichkeiten von GaN-Chips, die Industrie mit höherer Effizienz, Leistungsdichte und kleineren Abmessungen zu revolutionieren.
An dem Projekt „ALL2GaN“ (Affordable smart GaN IC solutions for greener applications) sind 45 Partner beteiligt, das Projekt zielt darauf ab, die Energieeffizienz mit GaN im Vergleich zu Silizium um 30 % zu verbessern und so zu einer Reduzierung von 218 Millionen Tonnen CO2 beizutragen, um den Green Deal und das EU-Ziel der Klimaneutralität bis 2050 zu unterstützen.
Während der Veranstaltung hat Heraeus Electronics seine Fine Pitch Sinterpasten und ein angepasstes Die Top System / Bonding Drähte vorgestellt, die zur Optimierung der Leistung von GaN-Chips entwickelt wurden.
In Deutschland wird dieses Projekt vom Bundesministerium für Bildung und Forschung kofinanziert (Projektnummer 16MEE0286).
Weitere Informationen über das ALL2GaN-Projekt finden Sie auf der Projekt-Website: https://www.all2gan.eu