All2GaN
Projekte
All2GaN - Galliumnitrid-Chips heben Energieeffizienz und reduzieren CO2-Emissionen
Projektzeitraum: 01.05.2023 – 30.04.2026
Gefördert von der EU
Förderkennzeichen: 101111890
Gefördert vom BMBF
Förderkennzeichen: 16MEE0288
Im Projekt „ALL2GaN“ (Affordable smart GaN IC solutions for greener applications) geht es um leicht integrierbare Energiesparchips auf der Basis von Galliumnitrid (GaN). Sie haben das Potenzial, die Energieeffizienz gegenüber bestehenden Halbleiter-Lösungen um 30 Prozent in einer Vielzahl von Anwendungen zu verbessern und damit weltweit hochgerechnet 218 Millionen Tonnen CO2 einzusparen.
Neue Generation von Energiesparchips reduziert Emissionen
Das Forschungsprojekt „ALL2GaN“, unter der Leitung von Infineon Austria, vereint 45 Partner aus zwölf Ländern mit einem Gesamtbudget von rund 60 Millionen Euro. Ziel ist es, das Energiesparpotenzial von hocheffizienten Leistungshalbleitern aus dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) voll auszuschöpfen, sie leicht und schnell in viele Anwendungen zu integrieren und damit Emissionen zu reduzieren.
GaN-Chips: Energieeffizienz senkt CO2-Fußabdruck
Energie effizient zu erzeugen, zu steuern und zu nutzen, ist ein entscheidender Hebel zur CO2-Reduktion. Je weniger Energie dabei verschwendet wird, umso weniger Emissionen entstehen. Intelligente Technologien und neue Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid (GaN) spielen hier eine Schlüsselrolle. Sie bringen mehr Leistung auf kleinem Raum, wandeln Energie hocheffizient und minimieren so den CO2-Fußabdruck in digitalen Geräten.
IMS CHIPS bringt GaN-Prozess-Know-how in das Projekt ein
IMS CHIPS befasst sich im Projekt mit der Weiterentwicklung bestehender Ansätze zur vorteilhaften Prozessierung von GaN-Substraten und insbesondere der Strukturierung von GaN auf Wafern aus Siliziumkarbid/(SiC) und auf so genannten „engineered“-Substraten bis zu einer Größe von 200 mm.