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Projekt MOCVD 4.2 gestartet

01. Januar 2019

Das vordringliche Ziel des Gesamtprojektes ist die Erhöhung der Produktionstauglichkeit der MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition)-Technologie für Anwendungen in der Leistungselektronik, in der Photovoltaik sowie in der Nano-Photonik und Sensorik. Die Technologie zielt auf die Märkte Energie und eMobility. Eine Verbesserung der Technologie soll erreicht werden durch Industrie 4.0 Ansätze, also mit vernetzten und automatisierten Maschinenkonzepten, intelligenter Software, Analysen am Rande der Nachweisgrenzen und präziser Prozesskontrolle. Elektronische Leistungswandler dienen als Demonstrator. In einem produktionsnahen Umfeld werden die Lösungsansätze realitätsnah kritisch getestet und bewertet. Zur Umsetzung und Verifikation der Verbesserungen werden moderne GaN basierte Leistungstransistoren auf Silizium-Substraten herangezogen, hergestellt und analysiert. Dieser industrienahe Ansatz unter produktionsähnlichen Bedingungen auf 200 mm Wafern sichert eine realitätsnahe Entwicklung mit großem Umsetzungspotential.

Projektzeitraum: 01.01.2019-31.12.2021
Fördergeldgeber: BMBF (FZ Jülich)
Förderkennzeichen: 0324237C