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International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN)

11. November 2018

Das IMS ist mit einem Vortrag auf der IWN 2018 in Kanazawa, Japan vertreten.


Session ED13 - HEMTs
Freitag, 16. November 2018, 9:30 Uhr

Temperature dependent lateral and vertical conduction mechanisms in AlGaN/GaN HEMT on thinned Silicon substrate
Lars Heuken1, Muhammad Alshahed1, Alessandro Ottaviani1, Dr. Mohammed Alomari1, Prof. Dr. Michael Heuken2 und Prof. Dr. Joachim N. Burghartz1
1Institute for Microelectronics Stuttgart (IMS CHIPS), Germany,
2AIXTRON SE, Germany


Nähere Informationen zur "IWN 2018" finden Sie unter: https://www.iwn2018.jp

Ort: Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan