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KMU-innovativ Projekt GaNScan gestartet

14. Dezember 2017

Im Rahmen des KMU-innovativ Projektes GaNScan sollen auf Siliziumwafern mit Epitaxieschichten aus dem Verbindungshalbleiter Galliumnitrid (GaN) Transistoren und Teststrukturen hergestellt und erforscht werden. Diese Strukturen werden zur ortsaufgelösten Messung (Kartografierung) von Test- und Bauelementparametern genutzt. Dabei sollen neue Strukturen erforscht werden und die Messtechnikkompetenz erweitert werden um Schlüsselparameter zu extrahieren. Die extrahierten Parameter erlauben Rückschlüsse auf die Qualität und Eigenschaften von Substrat und Epitaxie. Diese wichtigen Informationen werden an die Epitaxielieferanten zurückgeführt und dienen zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Qualität der Transistoren. Die Prokektpartner sind RoodMicrotech (Projektkoordination, KMU), AdMOS (KMU) und IMS CHIPS.

Projektzeitraum: 01.09.2017 – 29.02.2020
Fördergeldgeber: BMBF
Förderkennzeichen: 16ES0745

Weiter Informationen zum Projekt GaNScan finden Sie hier:
http://www.elektronikforschung.de/projekte/ganscan