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Ultrad√ľnne Chips

Ultrad√ľnner Mikrochip: Dicke 20 ¬Ķm

Mit der von IMS CHIPS, patentierten und inzwischen in Kooperation mit der Robert Bosch GmbH, weiterentwickelten Chipfilm‚ĄĘ-Technologie ist die Herstellung ultrad√ľnner, mechanisch flexibler Chips m√∂glich.

Die Chipfilm‚ĄĘ Technologie


Diese Technologie zeichnet sich dadurch aus, dass vor der CMOS Fertigung vergrabene Kavitäten im Siliziumsubstrat erzeugt werden.
Die Tiefe der Kavit√§t legt die Chipdicke der ultrad√ľnnen Chips fest. Dazu werden in diesem Vorprozess auf den Scheiben p-Gebiete in der Gr√∂√üe der zu prozessierenden Chips strukturiert. In dem folgenden anodischen √Ątzprozess mit einer HF/Isopropanol-√Ątzl√∂sung entstehen mit einem zweistufigen √Ątzprozess in diesen p-Gebieten grob- und feinpor√∂se Siliziumschichten, w√§hrend die n-dotierten Gebiete nicht von der √Ątzl√∂sung angegriffen werden. Bei der anschlie√üenden Temperung bilden sich aus dem grobpor√∂s ge√§tzten Silizium Kavit√§ten in Chipgr√∂√üe.

Das feinpor√∂s ge√§tzte Silizium erh√§lt die Strukturinformation des Siliziumeinkristalls, so dass Silizium der gew√ľnschten Chipdicke und Dotierung epitaktisch aufgewachsen werden kann. Die so vorprozessierten Chipfilm‚ĄĘ-Substratwafer k√∂nnen anschlie√üend den CMOS Prozess ohne √Ąnderungen gegen√ľber einem Prozess auf Standardwafern durchlaufen, denn die vergrabenen Hohlr√§ume ver√§ndern die Eigenschaften der Wafer praktisch nicht.

IMS

Pick, Crack & Place‚ĄĘ

Ultrad√ľnne Chips sind √§u√üerst biegsam, die Chipdicke im Bild oben betr√§gt 18 ¬Ķm

Mit einem Trenchätzprozess werden nach Abschluss der Fertigung die einzelnen Dies bis auf wenige Haltestrukturen freigeätzt. Nach erfolgreichem Funktionaltest können so die funktionsfähigen Bausteine mit einem Pick & Place Tool abgehoben werden, wobei die Haltestrukturen brechen und den Chip freigeben.

Charakterisierung ultrad√ľnner Chips

F√ľr den Einsatz in flexiblen Substraten m√ľssen die Schaltungen auch im verbogenen Chip funktionieren. Die Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Transistoren und komplexen Schaltungen auf gebogenen Chips erm√∂glicht das Verst√§ndnis der Einflussgr√∂√üen und erlaubt die Erstellung von Regeln f√ľr den Schaltungsentwurf. Das Bild unten zeigt einen 20¬Ķm d√ľnnen Chip, der auf einem Foliensubstrat montiert ist, bei der Messung der Transistoreigenschaften im gebogenen Zustand.

Weitere Informationen finden sie im PDF "Die Chipfilm‚ĄĘ-Technologie ‚Äď Herstellung ultrad√ľnner Siliziumchips mit Hilfe vergrabener Hohlr√§ume in Siliziumwafern"

Messung der elektrischen Funktionen gebogener Chips

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F√ľr weitere Informationen steht ihnen Christine Harendt zur Verf√ľgung.