Gesch├Ąftsfelder
 

Masken

Das IMS entwickelte Strukturierungstechnologien sowohl f├╝r bin├Ąre als auch phasenschiebende EUV-Masken. Daf├╝r wurden verschiedene Stacks unterschiedlicher Hersteller benutzt.

Querschnitt durch eine Attenuated Phase Shift Mask

EUV-Reflexions-Maske

125 nm Cr-Strukturen in 70 nm dickem Cr

Der Einsatz neuer Materialien f├╝r Attenuated Phase Shift Masks kann zu verbesserten Abbildungseigenschaften und einem erweiterten Prozessfenster f├╝hren. Am IMS wurden Strukturierungsprozesse f├╝r mehrere neue Materialkombinationen entwickelt.

Mit der am IMS vorhanden ├ätztechnologie k├Ânnen bin├Ąre Masken mit Strukturen bis 50 nm und darunter in Cr- oder TaN-Schichten verschiedener Dicke hergestellt werden.

Weitere Informationen als PDF: IMS CHIPS Photo Mask Technology.

Kontakt
F├╝r weitere Informationen steht ihnen Mathias Irmscher zur Verf├╝gung.