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Masken

Das IMS entwickelte Strukturierungstechnologien sowohl für binäre als auch phasenschiebende EUV-Masken. Dafür wurden verschiedene Stacks unterschiedlicher Hersteller benutzt.

Querschnitt durch eine Attenuated Phase Shift Mask

EUV-Reflexions-Maske

125 nm Cr-Strukturen in 70 nm dickem Cr

Der Einsatz neuer Materialien für Attenuated Phase Shift Masks kann zu verbesserten Abbildungseigenschaften und einem erweiterten Prozessfenster führen. Am IMS wurden Strukturierungsprozesse für mehrere neue Materialkombinationen entwickelt.

Mit der am IMS vorhanden Ätztechnologie können binäre Masken mit Strukturen bis 50 nm und darunter in Cr- oder TaN-Schichten verschiedener Dicke hergestellt werden.

Weitere Informationen als PDF: IMS CHIPS Photo Mask Technology.

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Für weitere Informationen steht ihnen Julian Hartbaum zur Verfügung.