Arbeitsgebiete
 

Fotomasken

  • Generierung komplexer Strukturen auf von 6“- und 9“-Substraten in unterschiedliche Schichten, wie z. B. .
  • - Cr
    - MoSi
    - SiO2
    - SiO2/Ta
    - TaN
  • Binäre optische und EUV-Masken, Alternierende Phasenmasken und Halbtonphasenmasken, auch mit speziellen Schichtfolgen und Schichtdicken
  • Bilder: Cr-Profile, EUV-Maske, OMOG-Strukturierung, MoSi-Profil
  • (keine Reparatur, keine Fehlererkennung, kein Pellicle)

EUV Maske

100 nm Strukturen in TaN Absorber

Kontakt
Für weitere Informationen steht ihnen Holger Sailer zur Verfügung.