Arbeitsgebiete
 

NIL Templates

NIL Templates mit folgenden Eigenschaften:


Moderne Gaußstrahl- und VSB-Belichtungswerkzeuge

  • Templates mit Quarzphoto-Maskenblanks, Quarz-Wafern, Silizium-Wafern oder SOI-Wafern
  • Post Process-Technologien zur Realisierung aller erforderlichen Formfaktoren
  • Multi-Tier-Strukturierung mit hoher Überlappungsgenauigkeit
  • Ni-Replikate lassen sich aus Quarz- oder Siliziummastern herstellen
  • Finale Qualifizierung durch inline-SEM
  • Professionelle Reinigung
  • Antihaftbeschichtung: FDTS (Perfluorodezyltrichlorosilane)

NIL Template-Spezifikationen


Typische Spezifikation einer unserer Masken mit einem Imprint-Feld von 25 mm x 25 mm.

NIL Template-Formfaktor


Wir bieten alle Formfaktoren in Quarz und Silizium mit engen Dimensionstoleranzen und qualitativ hochwertig polierte Endplatten an.

Ein Template mit Abmessungen von 25 mm x 25 mm und einer Imprint-FlĂ€che von 25 mm x 25 mm und einer Mesa mit einer Höhe von 20 μm (dieser Maskentyp kann auch mit einer Metallabdeckung um die Mesa geliefert werden

Quarz-Templates


Die Quarzmasken werden in einer state-of-the-art Maskentechnologie unter Verwendung der 6025 Photomasken-Blanks hergestellt. Technologien fĂŒr einfache und Multi-Tier-Strukturen sind fĂŒr verschiedene Ätztiefen verfĂŒgbar. Im Anschluss an die Strukturierung und dem Mesa-Prozess wird die Platte in den endgĂŒltigen Formfaktor zugeschnitten und poliert.

Löcher mit einem Durchmesser von 40 nm und einer Tiefe von 110 nm

32 nm-SÀulen mit einer Höhe von 120 nm

50 nm-SÀulen mit 120 nm-Linien, die Höhe der obersten Ebene betrÀgt 120 nm und die Höhe der untersten Ebene betrÀgt 230 nm

270 nm-SÀulen mit 510 nm-Linien, die Höhe der obersten Ebene betrÀgt 500 nm und die Höhe der untersten Ebene betrÀgt 560 nm

Silizium-Templates


Silizium-Templates werden auf Basis von Silizium- oder SOI-Wafern mit unterschiedlichem Durchmesser hergestellt. Mit RIE- und ICP-Verfahren können Prozessstrukturen im Nanometerbereich vom Resist ins Silizium- oder Siliziumdioxid ĂŒbertragen werden. Zudem ermöglicht die VerfĂŒgbarkeit von Tools der Bosch-Technologie die Umsetzung von außerordentlichen Aspect Ratios in Silizium.

30 nm-Lochstruktur, 60 nm Abstand, 80 nm Tiefe fĂŒr Datenspeicherungsanwendungen

165 nm-SÀulenstruktur, 370 nm Abstand, 400 nm Höhe zur Herstellung von antireflektierenden Beschichtungen

Zonenplatine mit einer Ă€ußeren Linienbreite von 50 nm

2 μm-Gitter mit einer Tiefe von 7 μm, ermöglicht durch die Bosch-Technologie und der daraus resultierenden Planierungstechnologie

Kontakt
FĂŒr weitere Informationen steht ihnen Mathias Irmscher zur VerfĂŒgung.