NIL Templates

NIL Templates mit folgenden Eigenschaften:

Moderne Gaußstrahl- und VSB-Belichtungswerkzeuge

• Templates mit Quarzphoto-Maskenblanks, Quarz-Wafern, Silizium-Wafern oder SOI-Wafern
• Post Process-Technologien zur Realisierung aller erforderlichen Formfaktoren
• Multi-Tier-Strukturierung mit hoher Überlappungsgenauigkeit
• Ni-Replikate lassen sich aus Quarz- oder Siliziummastern herstellen
• Finale Qualifizierung durch inline-SEM
• Professionelle Reinigung
• Antihaftbeschichtung: FDTS (Perfluorodezyltrichlorosilane)

NIL Template-Spezifikationen

Typische Spezifikation einer unserer Masken mit einem Imprint-Feld von 25 mm x 25 mm.

NIL Template-Formfaktor

Wir bieten alle Formfaktoren in Quarz und Silizium mit engen Dimensionstoleranzen und qualitativ hochwertig polierte Endplatten an.

Ein Template mit Abmessungen von 25 mm x 25 mm und einer Imprint-Fläche von 25 mm x 25 mm und einer Mesa mit einer Höhe von 20 μm (dieser Maskentyp kann auch mit einer Metallabdeckung um die Mesa geliefert werden

Quarz-Templates

Die Quarzmasken werden in einer state-of-the-art Maskentechnologie unter Verwendung der 6025 Photomasken-Blanks hergestellt. Technologien für einfache und Multi-Tier-Strukturen sind für verschiedene Ätztiefen verfügbar. Im Anschluss an die Strukturierung und dem Mesa-Prozess wird die Platte in den endgültigen Formfaktor zugeschnitten und poliert.

Löcher mit einem Durchmesser von 40 nm und einer Tiefe von 110 nm

32 nm-Säulen mit einer Höhe von 120 nm

50 nm-Säulen mit 120 nm-Linien, die Höhe der obersten Ebene beträgt 120 nm und die Höhe der untersten Ebene beträgt 230 nm

270 nm-Säulen mit 510 nm-Linien, die Höhe der obersten Ebene beträgt 500 nm und die Höhe der untersten Ebene beträgt 560 nm

Silizium-Templates

Silizium-Templates werden auf Basis von Silizium- oder SOI-Wafern mit unterschiedlichem Durchmesser hergestellt. Mit RIE- und ICP-Verfahren können Prozessstrukturen im Nanometerbereich vom Resist ins Silizium- oder Siliziumdioxid übertragen werden. Zudem ermöglicht die Verfügbarkeit von Tools der Bosch-Technologie die Umsetzung von außerordentlichen Aspect Ratios in Silizium.

30 nm-Lochstruktur, 60 nm Abstand, 80 nm Tiefe für Datenspeicherungsanwendungen

165 nm-Säulenstruktur, 370 nm Abstand, 400 nm Höhe zur Herstellung von antireflektierenden Beschichtungen

Zonenplatine mit einer äußeren Linienbreite von 50 nm

2 μm-Gitter mit einer Tiefe von 7 μm, ermöglicht durch die Bosch-Technologie und der daraus resultierenden Planierungstechnologie

Kontakt

Für weitere Informationen steht ihnen Mathias Irmscher zur Verfügung.