Spezielle Chips und Schaltungen

Ultradünne Chips

Ultradünner Mikrochip: Dicke 20 µm

Das Institut für Mikroelektronik Stuttgart entwickelte ein neuartiges Verfahren zur Herstellung von Mikrochips, deren Gesamtdicke kleiner als 20 µm ist. Das Verfahren beruht auf der Generierung von Hohlräumen in Siliziumwafern wenige Mikrometer unterhalb der Oberfläche, die nach der Integration der elektronischen Schaltkreise ein Herausbrechen der Chips aus der Waferoberfläche gestatten.

Weitere Informationen finden sie unter Arbeitsgebiete - ultradünne Chips

Im Gegensatz dazu beruht das herkömmliche Verfahren zur Herstellung dünner Chips auf dem Dünnschleifen von Wafern nach der Schaltkreisherstellung. Damit sind typischerweise Chipdicken von 200 Mikrometer realisierbar.

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Für weitere Informationen steht ihnen Christine Harendt zur Verfügung.

Hochvolt CMOS

Als Spezialprozess wurde am IMS eine 280V NMOS-Technologie mit folgenden Eckdaten entwickelt.

Ziel der Entwicklung war die Realisierung eines kundenspezifischen Hochvolt-ASICs, der acht Treiberstufen beinhaltet. Die Treiberstufen sind so konzipiert, dass sie am Eingang mit einem TTL-Pegel angesteuert werden können und am Ausgang definiert Kapazitäten (Piezoelemente) mit Spannungen von 200V laden und entladen können.

Zur Anwendung kommen diese Schaltkreise in einem elektronischen Blindenschrift-Modul, in dem je ein Hochvolt-ASIC zusammen mit einem Decoder-ASIC in COB (Chip-on-Board)-Technik montiert ist.

Zur Zeit wird am IMS die nächste Generation der Hochvolt-Treiber entwickelt. Realisiert werden soll ein vollständiger CMOS-Treiber in kompakter Bauform.

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Für weitere Informationen steht ihnen Peter Koroknay zur Verfügung.